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中國半導體影響力漸強 韓廠有壓力

  存儲報價水漲船高,三星電子半導體部門和SK海力士上半年大賺一票。數據顯示,韓國五月份半導體出口創歷史新高。


  根據韓國工商業能源部(MOCIE)公布數據,五月份半導體出口額來到76億美元,較去年同期跳增56%,主要歸功于DRAM與系統半導體出口強勁。


    從半導體設備出貨數據判斷,國際半導體產業協會(SEMI)數據顯示,韓國今年第一季半導體設備采購額來到35.3億美元,較去年同期暴增110%,同時間中國臺灣成長84%至34.8億美元。


    中國大陸第一季度半導體體設備采購額來到20.1億美元,全球排名第三,但與去年第四季做比較,季增率達74%,位居是全球之首。北美、日本同期間分別成長3%與19%,歐洲則是下滑1%。


    整體來看,全球首季半導體設備出貨來到歷史新高的131億美元,較前季成長14%、較去年同期成長58%。但韓媒警告,當前的繁榮景象恐怕只是暫時性的,來自中國的隱憂,恐讓韓國半導體業大受打擊。


     南韓媒體Business Korea日前報導,UBS Securities今(2017)年2月就曾出言示警,聲稱中國IT業者大舉建立庫存,是半導體報價去年大漲的主因,下半年DRAM、NAND型快閃存儲恐將嚴重過剩。


      仔細分析中國國家統計局的資料就可發現,在2015年1-8月期間,中國的半導體庫存從人民幣2,775億元一路上沖至歷史高3,330億元,隨后在2016年1月下滑至2,784億美元,直到2017年4月才反彈至3,305億元。然而,最近中國的半導體庫存年增率只有個位數、甚至負成長,遠不如2015年的20-50%成長率。也就是說,目前中國IT企業并未大舉建立庫存。業界消息顯示,部分陸企今年第一季開始減產、零組件訂單的縮減幅度也比往年還要高。


      不只如此,DRAM、NAND型快閃存儲下半年的供應量勢將跳增,供需日益失衡。三星位于平澤市的新廠預定7月投產,SK海力士在利川的M14廠房則已開始擴充產能。美光(Micron Technology)也在拉高DRAM、NAND型快閃存儲的產量,英特爾(Intel Corp.)則計劃在下半年生產NAND型快閃存儲。另外,紫光集團等中國半導體業者,也預定會在明年增添供給量。


      先前就有報導直指,三星電子率先量產18納米DRAM,把同業拋在腦后。競爭對手美光和SK海力士則不甘示弱,紛紛砸錢要追上三星。


      Nikkei Asian Review、BusinessKorea報導,三星是DRAM龍頭,制程領先對手1~2年,2016年下半首先量產18納米DRAM,計畫今年下半推進至15納米。IHS Markit估計,今年底為止,三星打算把18納米DRAM的生產比重,提高至30%。業界人士說,三星會以利潤優先,不會擴產搶市,打亂價格。


      三星一馬當先,DRAM第三大廠美光拼命追趕,計畫未來兩三年砸下20億美元,研發13納米DRAM制程。美光在日本廣島廠增設無塵室設備,并購買了多項高價生產儀器。進入13納米制程之后,同一片晶圓能分割成更多芯片,生產力將提高20%。美光已于今年第一季量產18納米DRAM。


      與此同時,SK海力士也準備在今年下半量產電腦用的18納米DRAM,接著再投入行動裝置用的18納米DRAM。SK海力士會優先提高21納米制程良率,之后轉進20納米、再轉向18納米。SK海力士人員透露,該公司正在研發1y DRAM制程,但是還不確定量產時間。    


| 發布時間:2017.07.03    點擊次數:
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